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El diamante sintético fue obtenido por primera vez en el año de 1954 por la General Electric, utilizando un método basado en la cristalización del carbono en diamante a altas presiones y temperaturas. Este método se utilizan presiones de 50-60 kbar y temperaturas de 1300 a 1600°C, correspondientes a las condiciones de formación del diamante en el manto terrestre, a profundidades de unos 200 km. El método se conoce como HP-HT (High Pressure High Temperature). Este método se convirtió rápidamente en la principal fuente de diamantes sintéticos industriales.
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Otro método de síntesis de diamantes no requiere presiones y temperaturas tan elevadas. Se trata de un método de deposición de vapor químico o CSP (Chemical Steam Deposition). En este caso como fuente de carbono se depositan sobre una superficie c
reando una capa muy fina de diamante.
El desarrollo del método permitió depositar capas de diamante sobre diversos materiales, además de acelerar la deposición en forma muy significativa. El perfeccionamiento de la síntesis CSP también hizo posible la obtención de monocristales de diamante sintético CVD de calidad gema; y en el año de 2005 apareció la primera empresa para su comercialización.
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